//************ SMPSKit 反激CCM模式 用户公式，测试用************//

Ve=0.7*((2+r)*(2+r)/r)*(Po*100/Eff/f)*1000;  //计算磁芯
float Vz;  //定义钳位电压
float Vor;  //定义折射电压
Vz=(Vswm-Vswr)-1.414*VacMax;   //计算钳位电压
Vor=Vz/1.4;                  //1.4是最优比
float n;           //定义匝比
n=Vor/(Vo+Vdf);   //计算匝比
Iin=(Po*100/Eff)/(VacMin*1.414); //计算输入电流平均值
float D;           //定义占空比
D=Iin/(Iin+(Po/Vo)/n);
Ipkp=(1+r/2)*((Po/Vo)/(1-D)/n); //一次电流峰值
Irmsp=(Ipkp/D)*pow(D,1/2);//一次电流有效值
Iswe=10*Irmsp;               //开关管额定电流设置为10倍有效值
Ton=D/(f*1000)*1000000;    // 导通时间
Cin=1000000*(0.3*Po*100/Eff)/(50*VacMin*VacMin*VacMin*0.08*0.08);
float ET;float IL;float ILR; //定义临时变量
IL=Po/Vo/(1-D);              //二次电流斜坡中值
ILR=IL/n;                    //一次电流斜坡中值
ET=VacMin*1.414*Ton;   //计算伏秒数
Lp=ET/(r*ILR);     //初级电感量
Ls=Lp/pow(n,2);    //次级电感量
Irmss=IL*pow(1-D,0.5);//次级电流有效值
Ipks=IL*(r/2);          //次级电流峰值
Dp=pow(Cmil*Irmsp,0.5)/39.37; //初级线径
Ds=pow(Cmil*Irmss,0.5)/39.37;//次级线径
Vdm=(VacMax*1.414/n+Vo)*1.2;//二极管耐压
Idm=Irmss*2;                //所需二极管额定电流值
Np=(1+2/r)*(ET*0.000001/(2*Bpk*(Ae/100)*0.00000001));//初级匝数
Ns=Np/n;    //次级匝数
float z;    
z=(2000*4*3.1415926*0.000001*(Ae/100)*0.001*Np*Np)/(Lp*Le/10*0.1*0.00001); //气隙因子

Zc=(10*(z*Le/10)-(Le/10))/2000;//气隙
Co=Po/Vo*((1000/f)-Ton)/(Vopp*0.001); //输出电容 注意：该计算不准确，没有考虑ESR
Vcm=Vo*1.2;                   //输出电容耐压要求

//下面计算漏感吸收参数
float pr;    //定义临时变量
pr=0.001*2*(1-1/1.4)*((Vswm-Vswr)-1.414*VacMax)*((Vswm-Vswr)-1.414*VacMax)*((Vswm-Vswr)-1.414*VacMax)
/(Lp*0.000001*(Per*0.01)*Ipkp*Ipkp*f*1000);

Rlk=pr;           //漏感吸收电阻
Clk=1000000000*((Vswm-Vswr)-1.414*VacMax)/(0.1*((Vswm-Vswr)-1.414*VacMax)*pr*1000*f*1000);//漏感吸收电容
#  // 公式结束标志，如果放在开始，文本公式不使用，程序使用内置算法，程序读到 # 就结束读取了

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说明：
这是一个CCM反激变换器的公式文本，试着把 # 放到最开始保存然后将其放到最后保存分别计算结果其和内置算法计算
几乎是一样的，只有匝比没有取整仅有小差别。请先阅读帮助文档，按照语法规则编写公式,并把公式文本放到程序目录下。

